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最后的 RS 库存
- 最终 2,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB28.35 | RMB56.70 |
| 10 - 98 | RMB27.49 | RMB54.98 |
| 100 - 248 | RMB26.675 | RMB53.35 |
| 250 - 498 | RMB25.875 | RMB51.75 |
| 500 + | RMB25.095 | RMB50.19 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 230-9048
- 制造商零件编号:
- NCD57090EDWR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 输出电流 | 6.5 A | |
| 电源电压 | 20V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 13ns | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 驱动器类型 | IGBT | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
输出电流 6.5 A | ||
电源电压 20V | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 13ns | ||
封装类型 SOIC | ||
驱动器类型 IGBT | ||
ON Semiconductor 系列 NCD57090E 是高−Ω 电流单通道 IGBT 栅极驱动器，带 5 kVrms 内部电化隔离，设计用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。该设备接受补充输入，并根据引脚配置提供有源 Miller 夹 (NCD57090E) 等选项。NCD57090E 可容纳从 3.3 V 至 20 V 的宽输入偏置电压和信号电平范围
提高系统效率
具有精确匹配的短传播延迟
提高 PWM 信号完整性
高瞬态和电磁抗扰性
坚固耐用，适用于快速转换速率高电压和高电流切换应用
5 kVrms 片上电流隔离
节省成本和板空间，同时提供比光驱更高的性能
宽偏置电压范围和输入电压范围
提供系统设计灵活性，允许使用常见的系统电压导轨
有源 Miller 钳位或负栅极电压或分离输出
在紧凑型封装中提供选择正确功能的选择
具有精确匹配的短传播延迟
提高 PWM 信号完整性
高瞬态和电磁抗扰性
坚固耐用，适用于快速转换速率高电压和高电流切换应用
5 kVrms 片上电流隔离
节省成本和板空间，同时提供比光驱更高的性能
宽偏置电压范围和输入电压范围
提供系统设计灵活性，允许使用常见的系统电压导轨
有源 Miller 钳位或负栅极电压或分离输出
在紧凑型封装中提供选择正确功能的选择