Infineon 功率MOSFET和IGBT驱动器 MOSFET, SOIC, 16引脚 200V, 表面安装, 3 A输出

查看所有栅极驱动器
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB117.72

(不含税)

RMB133.03

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 30 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 245RMB23.544RMB117.72
250 - 495RMB23.306RMB116.53
500 +RMB22.148RMB110.74

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
226-6148
制造商零件编号:
IR2010STRPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

功率MOSFET和IGBT驱动器

输出电流

3A

引脚数目

16

下降时间

25ns

包装类型

SOIC

驱动器类型

MOSFET

输出数目

2

上升时间

10ns

最低电源电压

10V

最大电源电压

200V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

系列

IR2010(S)PBF

高度

2.65mm

长度

10.5mm

宽度

7.6mm

安装类型

表面

汽车标准

否

Infineon IR2010(S)PBF 系列功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,10V 最小电源电压,3A 输出电流 - IR2010STRPBF


这款功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器是双通道栅极驱动器 IC,设计用于在高压开关应用中驱动功率 MOSFET 和 IGBT。它可在极端工业温度范围内运行,并支持在表面安装组件中使用,为电力电子系统提供受控的栅极驱动电流和快速开关性能。

特性和优点：


• 双输出提供 3A 峰值驱动电流,实现更快的开关速度
• 最小 10V 电源,可从常见栅极导轨操作
• 10ns 上升时间可减少开启过程中的转换损耗
• 25ns 降压时间限制晶体管的切换应力
• 200V 最大电源提供高压栅极驱动能力
• 16针SOIC封装支持紧凑型表面贴装

应用


• 适用于逆变器功率级的栅极驱动
• 适用于转换器中的高压开关控制
• 与电机驱动器中的离散 MOSFET 阵列配合使用
• 可用于电源中的IGBT栅极控制
• 适用于紧凑型表面安装电源模块

其能在什么温度范围内运行？


它能在 -55°C 至 150°C 的宽环境温度范围内运行,支持在热要求严苛的环境中部署。

它采用哪种封装和安装方式？


该设备采用 16 针 SOIC 封装,用于在 PCB 上进行表面贴装组装。

其引脚数如何影响PCB布局?


16引脚布局为双输出和控制输入提供单独的引脚,可简化隔离式栅极信号的布线。

设计人员应允许高度限制的物理轮廓是什么?


该组件的总高度为 2.65 mm,在规划组件堆叠和外壳间隙时应考虑这一点。

相关链接