onsemi MOSFET MOSFET, SOIC, 8引脚 22V, PCB安装

RS 库存编号:: 244-9165P
制造商零件编号:: NCV57081BDR2G
制造商:: onsemi

onsemi MOSFET MOSFET, SOIC, 8引脚 22V, PCB安装

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制造商零件编号:: NCV57081BDR2G
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	引脚数目	8
	包装类型	SOIC
	下降时间	13ns
	驱动器类型	MOSFET
	上升时间	30ns
	最低电源电压	22V
	最大电源电压	22V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	系列	NCV57
	标准/认证	No
	安装类型	PCB
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	引脚数目 8
	包装类型 SOIC
	下降时间 13ns
	驱动器类型 MOSFET
	上升时间 30ns
	最低电源电压 22V
	最大电源电压 22V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	系列 NCV57
	标准/认证 No
	安装类型 PCB
	汽车标准否

Datasheet - NCV57081BDR2G

ON Semiconductor 高−Ω 电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器具有 3.75 kVrms 内部电化隔离，设计用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。该设备接受补充输入，并根据引脚配置提供有源 Miller 夹 (A 型) ，负电源 (B 型) 和单独的高和低 (Oth 和 OTL) 驱动器输出 (C 型) 等选项，以方便系统设计。该驱动器可容纳从 3.3 V 至 20 V 的各种输入偏置电压和信号电平，并提供窄−Ω 主体 SOIC−8 封装。

高 Peak 输出电流 (+6.5 A/−6.5 A)

低钳位电压降，无需负电源

电源可防止虚假门开启−Ω (A 型)

具有精确匹配的短传播延迟

短路时 IGBT/MOSFET 栅极夹紧

IGBT/MOSFET 栅极有源下拉

精密 UVLO 阈值，用于偏置灵活性

宽偏置电压范围，包括负极 VEE2 (型号 B)

3.3 V ， 5 V 和 15 V 逻辑输入

3.75 kVrms Viso (I−O) (符合 UL1577 要求)

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