onsemi MOSFET MOSFET, SOIC, 8引脚 22 V, PCB安装
- RS 库存编号:
- 244-9165P
- 制造商零件编号:
- NCV57081BDR2G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB39.71 |
| 100 - 249 | RMB38.76 |
| 250 - 499 | RMB37.83 |
| 500 + | RMB36.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-9165P
- 制造商零件编号:
- NCV57081BDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 13ns | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 上升时间 | 30ns | |
| 最低电源电压 | 22V | |
| 最大电源电压 | 22V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | NCV57 | |
| 安装类型 | PCB安装 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 13ns | ||
包装类型 SOIC | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
上升时间 30ns | ||
最低电源电压 22V | ||
最大电源电压 22V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
系列 NCV57 | ||
安装类型 PCB安装 | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor 高−Ω 电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器具有 3.75 kVrms 内部电化隔离，设计用于高功率应用中的高系统效率和可靠性。该设备接受补充输入，并根据引脚配置提供有源 Miller 夹 (A 型) ，负电源 (B 型) 和单独的高和低 (Oth 和 OTL) 驱动器输出 (C 型) 等选项，以方便系统设计。该驱动器可容纳从 3.3 V 至 20 V 的各种输入偏置电压和信号电平，并提供窄−Ω 主体 SOIC−8 封装。
高 Peak 输出电流 (+6.5 A/−6.5 A)
低钳位电压降，无需负电源
电源可防止虚假门开启−Ω (A 型)
具有精确匹配的短传播延迟
短路时 IGBT/MOSFET 栅极夹紧
IGBT/MOSFET 栅极有源下拉
精密 UVLO 阈值，用于偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负极 VEE2 (型号 B)
3.3 V ， 5 V 和 15 V 逻辑输入
3.75 kVrms Viso (I−O) (符合 UL1577 要求)