DiodesZetex 栅极驱动模块, CMOS，TTL逻辑, SOIC, 2个驱动器, 8针, 290 mA，690 mA输出
- RS 库存编号:
- 246-6757
- 制造商零件编号:
- DGD2190MS8-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-6757
- 制造商零件编号:
- DGD2190MS8-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 逻辑类型 | CMOS，TTL | |
| 输出电流 | 290 mA，690 mA | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 20ns | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
逻辑类型 CMOS，TTL | ||
输出电流 290 mA，690 mA | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 20ns | ||
封装类型 SOIC | ||
驱动器数目 2 | ||
DiodesZetex 是一款高电压/高速门驱动器，可在半桥配置下驱动 N 通道 MOSFET。 高电压处理技术使 DGD2005 的高侧可在调试操作中切换到 200V。高侧和低侧驱动器之间匹配的 30ns（最大）传播延迟允许高频切换。DGD2005 采用节省空间的 SO-8 封装，工作温度范围扩展至 -40°C 至 +125°C。
宽低侧门驱动器电源电压 10V 至 20V 浮动高侧驱动器，在 600V 启动带操作中，驱动 2 个 N 通道 MOSFET，采用半桥配置，用于高侧和低侧驱动器的低电压锁定，扩展温度范围 -40°C 至 +125°C