DiodesZetex MOSFET驱动器, CMOS，TTL逻辑, SO8, 2个驱动器, 8针, 10 → 20V电源, 1.9 A，2.3 A输出
- RS 库存编号:
- 246-7491
- 制造商零件编号:
- DGD2181S8-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 246-7491
- 制造商零件编号:
- DGD2181S8-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 逻辑类型 | CMOS，TTL | |
| 输出电流 | 1.9 A，2.3 A | |
| 电源电压 | 10 → 20V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 20ns | |
| 封装类型 | SO8 | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
逻辑类型 CMOS，TTL | ||
输出电流 1.9 A，2.3 A | ||
电源电压 10 → 20V | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 20ns | ||
封装类型 SO8 | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
驱动器数目 2 | ||
DiodesZetex DGD2181 是高电压/高速门驱动器，可在半桥配置下驱动 N 通道 MOSFET 和 IGBT。高电压处理技术使 DGD2181 的高侧可在启动带操作中切换至 600V。逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3V）兼容，易于与控制器件接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，设计用于最小驱动器交叉传导。它采用 SO-8 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
浮动高侧驱动器在 600V 启动串行操作中驱动两个 N 通道 MOSFET 或 IGBT，在半桥配置中 1.9A 源/2.3A 埋头输出电流能力，输出容忍负瞬态，宽低侧门驱动器和 10V 至 20V 逻辑电源，逻辑输入（HIN 和 lIN） 3.3V 能力