Renesas Electronics , HIP2100IBZT7A 栅极驱动器模块 半桥, SOIC, 2个驱动器, 8引脚 14 V, 板安装, 2 A输出
- RS 库存编号:
- 256-1548
- 制造商零件编号:
- HIP2100IBZT7A
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB27.735 | RMB55.47 |
| 10 - 18 | RMB24.93 | RMB49.86 |
| 20 - 98 | RMB24.425 | RMB48.85 |
| 100 - 198 | RMB20.385 | RMB40.77 |
| 200 + | RMB19.98 | RMB39.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-1548
- 制造商零件编号:
- HIP2100IBZT7A
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | 栅极驱动器模块 | |
| 输出电流 | 2A | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 10ns | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 输出数目 | 2 | |
| 驱动器类型 | 半桥 | |
| 上升时间 | 10ns | |
| 最低电源电压 | 9V | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 最大电源电压 | 14V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 系列 | HIP2100 | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 安装类型 | 板 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 栅极驱动器模块 | ||
输出电流 2A | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 10ns | ||
包装类型 SOIC | ||
输出数目 2 | ||
驱动器类型 半桥 | ||
上升时间 10ns | ||
最低电源电压 9V | ||
驱动器数目 2 | ||
最大电源电压 14V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
系列 HIP2100 | ||
宽度 4 mm | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
安装类型 板 | ||
汽车标准 否 | ||
Renesas 半桥驱动器是高频率、100V 半桥 N 通道功率 MOSFET 驱动器 IC。低侧和高侧门驱动器可独立控制,并与 8ns 匹配。这为用户在死时选择和驱动程序协议方面提供最大灵活性。低侧和高侧电源的欠压保护,将输出强制降低。片上二极管可消除与其他驱动器 IC 一起需要的分立二极管。新型水平转换器拓扑可提供脉冲操作的低功率优势,同时提供直流操作的安全性。与一些竞争对手不同,高侧输出在高侧电源瞬时欠电压后恢复到正确状态。
驱动 N 通道 MOSFET 半桥,
无铅(符合 RoHS 标准)启
动杆电源最大电压达
114VDCOn 芯片 1Ω 启动杆二极管,
用于多 MHz 电路的快速传播时间,
驱动 1000pF 负载,上升和下降时间为
10nsCMOS 输入阈值,可提高噪声抗扰性,
低功耗,宽电源范围,电源欠压保
护