Infineon 栅极驱动模块, CMOS, LSTTL逻辑, SOIC 16W

Infineon 高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,带独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁防护 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级别,设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟匹配,以简化高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 500 V 或 600 V。

门驱动电源范围为 10 V 至 20 V
两个通道的欠压锁定
3.3 V 逻辑兼容
单独的逻辑电源范围为 3.3 V 至 20 V
逻辑和电源接地 ± 5V 偏移
CMOS 施密特触发输入,带拉下
每次循环边缘触发关闭逻辑
两个通道的匹配传播延迟
输出与输入相位