Renesas Electronics , HIP2101EIBZ 栅极驱动器模块 MOSFET, SOIC, 8引脚 100 V, 3 A输出
- RS 库存编号:
- 264-0589P
- 制造商零件编号:
- HIP2101EIBZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 48 | RMB34.45 |
| 50 - 98 | RMB33.76 |
| 100 + | RMB33.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-0589P
- 制造商零件编号:
- HIP2101EIBZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | 栅极驱动器模块 | |
| 输出电流 | 3A | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 下降时间 | 10ns | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 上升时间 | 10ns | |
| 最低电源电压 | 100V | |
| 最大电源电压 | 100V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 宽度 | 3.98 mm | |
| 系列 | HIP2101 | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 栅极驱动器模块 | ||
输出电流 3A | ||
引脚数目 8 | ||
包装类型 SOIC | ||
下降时间 10ns | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
上升时间 10ns | ||
最低电源电压 100V | ||
最大电源电压 100V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
宽度 3.98 mm | ||
系列 HIP2101 | ||
高度 1.7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Renesas Electronics 门驱动器是高频半桥 NMOS FET 驱动器,具有三级 PWM 输入,带操作电源和集成高侧引导杆偏置,它支持在半桥应用中驱动高侧和低侧 NMOS。
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