ROHM N沟道IGBT, Ic 12A, VCEO 650 V, 3针, 至 -252GE, 贴片安装

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包装方式：
RS 库存编号:
265-325P
制造商零件编号:
RGT8BM65DGTL1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

最大连续集电极电流

12A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±30V

晶体管数

1

最大功率耗散

62 W

封装类型

至 -252GE

配置

单

安装类型

贴片

通道类型

N

引脚数目

3

ROHM IGBT 为节能、高效和广泛的高压大电流应用做出了贡献。IGBT 的集电极到发射极饱和电压很低，因此在各种应用中都能发挥出很高的效率。它的短路耐受时间为 5 微秒，可确保在故障条件下保持稳定的性能。此外，它还配备了 RFN 系列的内置快速软恢复二极管。

低开关损耗
无铅电镀
符合 RoHS 标准