Infineon N型沟道, IKZA50N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 4引脚, PG-TO-247-4-STD-NT3.7, 通孔安装

RS 库存编号:: 284-623P
制造商零件编号:: IKZA50N65EH7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道, IKZA50N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 4引脚, PG-TO-247-4-STD-NT3.7, 通孔安装

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制造商零件编号:: IKZA50N65EH7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	80A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	250W
	包装类型	PG-TO-247-4-STD-NT3.7
	安装类型	通孔
	槽架类型	N型
	引脚数目	4
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 V
	最低工作温度	40°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	长度	21.1mm
	高度	5.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 80A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 250W
	包装类型 PG-TO-247-4-STD-NT3.7
	安装类型通孔
	槽架类型 N型
	引脚数目 4
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V
	最低工作温度 40°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	长度 21.1mm
	高度 5.1mm
	汽车标准否

Datasheet - IKZA50N65EH7XKSA1

Infineon IGBT采用TRENCHSTOP IGBT7技术，在需要低饱和电压和快速开关能力的应用中确保卓越性能。专为工业用途设计，可在650V的集电极-发射极电压下运行，同时保持出色的效率。该设备尤其适用于要求严苛的环境，如工业不间断电源、电动车辆充电和光伏逆变器，可为您的电源管理需求提供一体化解决方案。此外，其坚固的结构增强了在宽温度范围内的可靠性，是各种应用的首选。

低开关损耗可提高效率

平滑切换可降低电磁干扰

湿度稳定性确保可靠性能

经过优化，适用于硬开关应用

包含 PSpice 型号，用于集成

符合严格的工业标准

Infineon N型沟道, IKZA50N65EH7XKSA1 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 4引脚, PG-TO-247-4-STD-NT3.7, 通孔安装

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