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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	80A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	最大功率耗散	338 W
	晶体管数	1
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型	PG-TO247-4-STD-NT3.7
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	4

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 80A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	最大功率耗散 338 W
	晶体管数 1
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型 PG-TO247-4-STD-NT3.7
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 4

Datasheet - IKZA75N65EH7XKSA1

英飞凌 IGBT 是一种高性能功率元件，专为满足当代功率应用的严格要求而设计。它采用先进的 TRENCHSTOP IGBT7 技术，在高速运行和低饱和电压之间实现了出色的平衡。这款创新型设备可确保高效的能源管理和更强的散热性能，是不间断电源、电动汽车充电系统和组串逆变器等工业应用的理想之选。它具有强大的可靠性和全面的产品验证，是工程师在具有挑战性的电子环境中优化性能的可靠选择。

高速运行将开关损耗降至最低
集电极发射极饱和度低，可提高功率效率
防潮设计确保可靠性
强大的热管理支持大电流
针对硬开关多电平应用进行了优化
全面的 PSpice 模型便于集成
软而快的恢复二极管可实现平稳的性能
符合 JEDEC 标准，可用于工业用途

Infineon N沟道IGBT, Ic 80A, VCEO 650 V, 4针, PG-TO247-4-STD-NT3.7, 通孔安装