Infineon N型沟道, IKZA75N65EH7XKSA1 IGBT, VCEO 650 V, 4引脚, PG-TO-247-4-STD-NT3.7, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 284-628
- 制造商零件编号:
- IKZA75N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 284-628
- 制造商零件编号:
- IKZA75N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 338W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-STD-NT3.7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | 40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 21.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 338W | ||
包装类型 PG-TO-247-4-STD-NT3.7 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 4 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 15.9 mm | ||
高度 5.1mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 21.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 是一款高性能功率组件，专为满足现代电力应用的严格要求而设计。它采用先进的TRENCHSTOP IGBT7技术，在高速运行和低饱和电压之间实现了出色的平衡。这款创新设备确保高效的能源管理和卓越的热性能，适用于不间断电源、电动汽车充电系统和组串式反相器等工业应用。凭借卓越的可靠性和全面的产品验证，它成为工程师在恶劣电子环境中优化性能的可靠之选。
高速运行可最大限度减少开关损耗
集电极-发射极低饱和电压可提升能效
防潮设计确保可靠性
强大的热管理支持高电流
针对硬开关多电平应用进行了优化
全面 PSpice 模型，易于集成
软质和快速复位二极管，可实现平稳的性能
符合JEDEC标准的工业级应用