Infineon N型沟道, IKQ75N120CH7XKSA1 IGBT, VCEO 1200 V, 3引脚, PG-TO-247-3-PLUS-N, 通孔安装

暂时无法供应
抱歉,我们不知道何时会有货
包装方式:
RS 库存编号:
284-672P
制造商零件编号:
IKQ75N120CH7XKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

549W

包装类型

PG-TO-247-3-PLUS-N

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

标准/认证

No

汽车标准

Infineon IGBT采用高速1200V沟槽截止IGBT 7技术,在严苛应用中具有卓越的性能表现。 它采用先进的设计,结合了高效的功率处理能力和低开关损耗,适用于高效率功率转换器。该器件采用强大的全额定电流共封装,配备软换向快速二极管,并优化了热性能,专为工业和汽车应用而设计,包括电动汽车充电和焊接系统。该产品的最高结温可达175°C,即使在极端条件下也能确保可靠性和长效性。

针对硬开关工况优化以实现高效率

无铅镀层,符合环保要求

易于并联,具有正温度系数

非常适合工业应用,如UPS和反相器

全面产品系列,提供建模支持

提供低饱和电压以实现节能

瞬态栅极发射极电压可提升开关性能