Infineon N沟道IGBT, Ic 75 A, VCEO 1200V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装

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包装方式:
RS 库存编号:
284-672P
制造商零件编号:
IKQ75N120CH7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

75 A

最大集电极-发射极电压

1200V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

549 W

晶体管数

1

配置

单集电极、单发射极、单栅极

封装类型

PG-TO247-3-plus-N

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

英飞凌 IGBT 采用高速 1200 V 沟槽截止 IGBT 7 技术,旨在为要求苛刻的应用提供无与伦比的性能。它采用最先进的设计,集高效功率处理和低开关损耗于一身,是高效功率转换器的理想之选。该器件采用全额定电流、软换向快速二极管和优化的热性能等坚固耐用的组合封装,适用于电动汽车充电和焊接系统等工业和汽车应用。该产品的最高结温为 175°C,即使在极端条件下也能确保可靠性和使用寿命。

针对硬开关的高效率进行了优化
无铅电镀符合环保要求
易于并联,具有正温度系数
非常适合 UPS 和逆变器等工业应用
具有建模支持的全面产品系列
提供低饱和电压,实现节能
瞬态栅极发射极电压可提高开关性能