Infineon N沟道IGBT, 双个, Ic 600 A, VCEO 1200V, 3针, AG-62MMHB, 通孔安装

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RS 库存编号:
284-962
制造商零件编号:
FF600R12KE7BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

600 A

最大集电极-发射极电压

1200V

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

2

封装类型

AG-62MMHB

配置

单集电极、单发射极、单栅极

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

英飞凌 IGBT 模块是一款 62 mm 1200 V、600 A 双低饱和快速沟槽式 IGBT 模块,带有 TRENCHSTOP IGBT7 和发射极控制二极管。现有的封装具有更高的电流能力,可在相同的框架尺寸下提高逆变器的输出功率。简化逆变器系统,降低系统成本。

最高功率密度
一流的 VCEsat
高爬电距离和间隙距离
隔离底板
标准机壳
符合 RoHS 标准
4 kV 交流 1 分钟 绝缘