Infineon IGBT, 半桥, Ic 500 A, VCEO 1700 V, AG-62MMHB-411, 底盘安装
- RS 库存编号:
- 258-0848
- 制造商零件编号:
- FF500R17KE4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计(1 托盘,共 10 件)*
RMB14,113.55
(不含税)
RMB15,948.31
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年11月02日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB1,411.355 | RMB14,113.55 |
| 20 - 20 | RMB1,383.128 | RMB13,831.28 |
| 30 + | RMB1,341.633 | RMB13,416.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0848
- 制造商零件编号:
- FF500R17KE4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 500A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1700V | |
| 包装类型 | AG-62MMHB-411 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.45V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | UL Approved (E83335) | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 500A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1700V | ||
包装类型 AG-62MMHB-411 | ||
配置 半桥 | ||
安装类型 底盘 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.45V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 UL Approved (E83335) | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 62 mm 1700 V、500 A 双 IGBT 模块,带快速 TRENCHSTOP IGBT4 和发射器控制 3 二极管。
高爬行寿命和间隙距离
相关链接
- Infineon , FF500R17KE4BOSA1 IGBT, 半桥, Ic 500 A, VCEO 1700 V, AG-62MMHB-411, 底盘安装
- Infineon N型沟道, FF800R12KE7EHPSA1 IGBT, 单集电极, 2个, Ic 800 A, VCEO 1200 V, 3引脚, AG-62MMHB, 通孔安装
- Infineon N型沟道, FF800R12KE7HPSA1 IGBT, 单集电极, 2个, Ic 800 A, VCEO 1200 V, 3引脚, AG-62MMHB, 通孔安装
- Infineon N型沟道, FF450R12KE7HPSA1 IGBT, 单集电极, 2个, Ic 450 A, VCEO 1200 V, 3引脚, AG-62MMHB, 通孔安装
- Infineon N型沟道, FF600R12KE7BPSA1 IGBT, 单集电极, 2个, Ic 600 A, VCEO 1200 V, 3引脚, AG-62MMHB, 通孔安装
- Infineon N型沟道 IGBT, 2个, Ic 1800 A, VCEO 1700 V, ag-ag10+ PRIME3, 表面安装
- Infineon N型沟道, FF1800R17IP5BPSA1 IGBT, 2个, Ic 1800 A, VCEO 1700 V, ag-ag10+ PRIME3, 表面安装
- Infineon 半桥 N沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=1200 V, 185 A, AG-62MMHB, 螺钉接线端子安装, 7引脚, FF5MR20KM1HSHPSA1, C Series系列
