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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	62A
	最大集电极-发射极电压	1200V
	最大栅极发射极电压	±20V
	晶体管数	1
	最大功率耗散	398 W
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型	PG-TO247-3-plus-N
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 62A
	最大集电极-发射极电压 1200V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	晶体管数 1
	最大功率耗散 398 W
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型 PG-TO247-3-plus-N
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3

Datasheet - IKQ50N120CH7XKSA1

英飞凌 IGBT 采用高速 1200 V Trenchstop IGBT 7 技术，集先进性能和效率于一身，适用于要求苛刻的应用。该产品专为高速硬开关拓扑设计，运行可靠，热管理出色。通过优化布局，它可提供出色的电流处理能力，降低开关损耗，同时确保符合最新标准。这种 IGBT 用途广泛，是工业 UPS、电动汽车充电、组串逆变器和焊接等各种应用的理想之选。

采用 Trenchstop IGBT 7 技术，性能卓越
传导和开关损耗低
针对高温的强大热管理
符合 RoHS 规范，无铅电镀
支持仿真的 PSpice 综合模型
符合 JEDEC 标准的工业应用要求

Infineon N沟道IGBT, Ic 62A, VCEO 1200V, 3针, PG-TO247-3-plus-N, 通孔安装