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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	80A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	最大功率耗散	208 W
	晶体管数	1
	配置	单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型	PG-TO247-3-STD-NN4.8
	安装类型	通孔
	通道类型	N
	引脚数目	3

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 80A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	最大功率耗散 208 W
	晶体管数 1
	配置单集电极、单发射极、单栅极
	封装类型 PG-TO247-3-STD-NN4.8
	安装类型通孔
	通道类型 N
	引脚数目 3

Datasheet - IKWH40N65EH7XKSA1

英飞凌 IGBT 是一种先进的 IGBT 模块，采用 TRENCHSTOP IGBT7 技术，在低饱和电压的高速应用中性能卓越。该模块的集电极发射极额定电压为 650 V，可确保更高的效率和最小的能量损耗，因此非常适合要求苛刻的工业环境。凭借坚固的封装和优化的热性能，该模块具有出色的防潮性能，可确保在各种条件下稳定运行。

高速运行，实现高效能源管理
集电极发射极饱和电压低，性能更高
软恢复二极管确保温和开关
防潮设计可在各种条件下确保可靠性
针对两级和三级拓扑结构进行了优化
产品种类齐全，可提供量身定制的解决方案
符合严格的 JEDEC 工业应用标准

Infineon N沟道IGBT, Ic 80A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247-3-STD-NN4.8, 通孔安装