Infineon N型沟道, IKWH40N65EH7XKSA1 IGBT, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 285-010P
- 制造商零件编号:
- IKWH40N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 285-010P
- 制造商零件编号:
- IKWH40N65EH7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 包装类型 | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | 40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 20.1mm | |
| 宽度 | 15.9 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
包装类型 PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.1mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 20.1mm | ||
宽度 15.9 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT是一款先进的IGBT模块，采用沟槽截止 IGBT7技术，在高速应用中具有卓越性能，同时保持低饱和电压。此模块的设计集电极-发射极电压额定值为650V，可确保更高的效率和最小的能耗，非常适合严苛的工业环境。该模块具有坚固的封装和优化的热性能，因此能够提供出色的防潮能力，确保在各种条件下都能稳定运行。
高速操作，可实现高效能源管理
低集电极-发射极饱和电压可提升性能
柔性复位二极管确保平缓开关
防潮设计，确保在各种条件下可靠运行
针对两级和三级拓扑结构进行了优化
全面产品系列，提供定制的解决方案
符合严格的JEDEC标准，适合工业应用