Infineon N沟道IGBT, 双个, Ic 1.6kA, VCEO 1200V, 螺钉安装
- RS 库存编号:
- 349-361
- 制造商零件编号:
- FF1600R12IP7BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB6,894.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-361
- 制造商零件编号:
- FF1600R12IP7BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 1.6kA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功率耗散 | 20mW | |
| 配置 | 半桥 | |
| 安装类型 | 螺钉 | |
| 通道类型 | N | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 1.6kA | ||
最大集电极-发射极电压 1200V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 2 | ||
最大功率耗散 20mW | ||
配置 半桥 | ||
安装类型 螺钉 | ||
通道类型 N | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon PrimePACK 2 1200V 1600A 双 IGBT 模块配有 TRENCHSTOP IGBT7 和由发射极控制的 7 二极管，设计用于高功率应用，以紧凑坚固的封装提供卓越的性能。它提供最高的功率密度，可优化空间，同时保持卓越的功率处理能力。该模块具有出色的 VCEsat，可确保低饱和电压，从而实现更高的效率并减少能量损失。
功率密度增加
相同输出功率下，冷却工作量更小
更高的反相器输出电流
可避免 IGBT 模块并联
标准化外壳
相同输出功率下，冷却工作量更小
更高的反相器输出电流
可避免 IGBT 模块并联
标准化外壳