Microchip N沟道, APT50GH120BSC20 离散IGBT, 1个, Ic 119 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 838-595
- 制造商零件编号:
- APT50GH120BSC20
- 制造商:
- Microchip
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- RS 库存编号:
- 838-595
- 制造商零件编号:
- APT50GH120BSC20
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 119A | |
| 产品类型 | 离散IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 492W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 16.26mm | |
| 标准/认证 | JEDC | |
| 高度 | 5.31mm | |
| 长度 | 41.78mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
最大连续集电极电流 Ic 119A | ||
产品类型 离散IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 492W | ||
晶体管数 1 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N沟道 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 16.26mm | ||
标准/认证 JEDC | ||
高度 5.31mm | ||
长度 41.78mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Microchip现场停止IGBT是一款高性能1200 V 50 A组件,配备碳化硅肖特基势垒二极管。这款通孔 TO-247 设备可在严苛的工业环境中最大限度减少传导和开关损耗。
坚固耐用的 1200 V 集电极-发射极额定电压
可处理高达119 A的连续集电极电流
大负荷 200 A 脉冲集电极电流能力