Microchip N沟道离散IGBT, 3针, 1个晶体管, Ic 69 A, VCEO 1200 V, TO-247
- RS 库存编号:
- 838-597
- 制造商零件编号:
- APT25GP120BSC15
- 制造商:
- Microchip
N
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 件）*
RMB149.67
(不含税)
RMB169.13
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年4月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB149.67 |
| 5 + | RMB145.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 838-597
- 制造商零件编号:
- APT25GP120BSC15
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | 离散IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 69A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功耗 Pd | 417W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 高度 | 5.31mm | |
| 标准/认证 | JEDC | |
| 长度 | 41.78mm | |
| 宽度 | 16.26mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 离散IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 69A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功耗 Pd 417W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
高度 5.31mm | ||
标准/认证 JEDC | ||
长度 41.78mm | ||
宽度 16.26mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Microchip Punch Through IGBT 集成了高性能 1200 V 25 A 功率 MOS 7 晶体管和碳化硅反并联肖特基二极管。
最大 1200 V 集电极-发射极额定电压
先进的Power MOS 7冲孔技术
集成 SiC 反平行肖特基二极管
相关链接
- Microchip N沟道离散IGBT, 3针, 1个晶体管, Ic 119 A, VCEO 1200 V, TO-247
- ROHM IGBT, 3针, 1个晶体管, Ic 105 A, VCEO 1200 V, TO-247N
- ROHM IGBT, 3针, 1个晶体管, Ic 69 A, VCEO 1200 V, TO-247N
- ROHM IGBT, 4针, 1个晶体管, Ic 105 A, VCEO 1200 V, TO-247-4L
- onsemi N沟道IGBT, 4针, 1个晶体管, Ic 140 A, VCEO 1200 V, TO-247-4L
- onsemi N沟道IGBT, 4针, 1个晶体管, Ic 160 A, VCEO 1200 V, TO-247-4L
- onsemi N沟道IGBT, 4针, 1个晶体管, Ic 75 A, VCEO 1200 V, TO-247-4L
- onsemi N型沟道IGBT, 4针, 1个晶体管, Ic 200 A, VCEO 1200 V, TO-247-4L