制造商编号

onsemi N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 1.2 kV, TO-247, Field Stop系列

RS 库存编号:: 124-1446
制造商零件编号:: FGH40T120SMD
制造商:: onsemi

onsemi N沟道IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 1.2 kV, TO-247, Field Stop系列

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RS 库存编号:: 124-1446
制造商零件编号:: FGH40T120SMD
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	最大连续集电极电流 Ic	40A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1.2kV
	最大功耗 Pd	555W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.8V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	±25 V
	最高工作温度	175°C
	系列	Field Stop
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	最大连续集电极电流 Ic 40A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1.2kV
	最大功耗 Pd 555W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.8V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅极发射极电压 VGEO ±25 V
	最高工作温度 175°C
	系列 Field Stop
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor

IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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