Infineon N沟道IGBT, Ic 40 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装, 100kHz

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RS 库存编号:
165-5481
制造商零件编号:
IKW20N60H3FKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

40 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

170 W

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

通道类型

N

引脚数目

3

开关速度

100kHz

晶体管配置

单

尺寸

16.13 x 5.21 x 21.1mm

栅极电容

1100pF

额定能量

1.07mJ

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-40 °C

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 IGBT，40A 最大连续集电极电流，600V 最大集电极发射极电压 - IKW20N60H3FKSA1


该 IGBT 模块专为电力电子领域的高速开关应用而设计。该器件符合 TO-247 IGBT 封装规格，尺寸为 16.13 x 5.21 x 21.1 毫米。它的最大集电极-发射极电压为 600V，持续集电极电流为 40A，可有效满足电气和机械领域各种苛刻的应用要求。

特点和优势


• 采用 TRENCHSTOP 技术，提供低 VCEsat
• 最高结温达 175°C，性能强劲
• 采用软快速恢复反并联二极管，提高了可靠性
• 确保 100kHz 的开关速度，实现高效运行

应用


• 用于不间断电源，确保可靠运行
• 适用于高性能焊接的焊接转换器
• 适用于开关频率要求较高的转换器

该模块的热阻特性如何？


从结点到外壳的热阻为 0.88 K/W，而二极管从结点到外壳的热阻为 1.89 K/W，确保了在苛刻环境下的有效散热。

IGBT 如何处理短路和功率耗散？


它支持高达 80A 的脉冲集电极电流和 170W 的功率耗散能力，可在短路条件下实现稳健的性能。该设备可处理多达 1000 次短路，安全工作时间为 5μs。

该 IGBT 的栅极电容有何意义？


1100pF 的栅极电容有助于有效控制栅极-发射极电压，从而优化开关特性并减少工作期间的能量损耗。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



IGBT 分立件和模块，Infineon


绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。