制造商编号

Infineon N型沟道 igbt模块, Ic 1400 A, VCEO 1200 V, AG-PRIME3-1, 夹子安装, 0.97 μs

RS 库存编号:: 166-0887
制造商零件编号:: FF1400R12IP4BOSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 igbt模块, Ic 1400 A, VCEO 1200 V, AG-PRIME3-1, 夹子安装, 0.97 μs

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RS 库存编号:: 166-0887
制造商零件编号:: FF1400R12IP4BOSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	1400A
	产品类型	igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	最大功耗 Pd	7.65kW
	包装类型	AG-PRIME3-1
	安装类型	夹子
	槽架类型	N型
	开关速度	0.97μs
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.15V
	最高工作温度	150°C
	长度	250mm
	标准/认证	EN 61140
	高度	38mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 1400A
	产品类型 igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	最大功耗 Pd 7.65kW
	包装类型 AG-PRIME3-1
	安装类型夹子
	槽架类型 N型
	开关速度 0.97μs
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.15V
	最高工作温度 150°C
	长度 250mm
	标准/认证 EN 61140
	高度 38mm
	汽车标准否

不适用

COO (Country of Origin):: MY

IGBT 模块，Infineon

Infineon

^TM

^TM^TM^TM

IGBT 分立器件和模块，Infineon

绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 是一种三端子功率半导体器件，以高效率和快速开关特性著称。IGBT 在单个器件中，将用于控制输入的隔离栅 FET 和用作开关的双极型功率晶体管相结合，从而兼具 MOSFET 的简单栅极驱动特性以及双极型晶体管的高电流、低饱和电压能力。

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