Infineon IGBT, 双个, Ic 600 A, VCEO 1200 V, AG-PRIME2, 底盘安装
- RS 库存编号:
- 260-8889
- 制造商零件编号:
- FF600R12IE4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 托盘，共 3 件）*
¥9,422.16
(不含税)
¥10,647.03
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 3 + | RMB3,140.72 | RMB9,422.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-8889
- 制造商零件编号:
- FF600R12IE4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 600 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 3.35 kW | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 配置 | 双 | |
| 封装类型 | AG-PRIME2 | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 600 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 3.35 kW | ||
晶体管数 2 | ||
配置 双 | ||
封装类型 AG-PRIME2 | ||
安装类型 底盘 | ||
Infineon PrimePACK 2 1200 V、600 A 半桥式双 IGBT 模块,带 TRENCHSTOP IGBT4、发射器控制 4 个二极管、NTC 和快速切换芯片。高短路容量,自制短路电流,VCEsat,带正温度系数。
扩展工作温度
高直流稳定性
高功率密度
标准化壳体
高直流稳定性
高功率密度
标准化壳体