STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS Stock No.:
- 168-7096
- Mfr. Part No.:
- STGW60H65DFB
- Brand:
- STMicroelectronics
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- RS Stock No.:
- 168-7096
- Mfr. Part No.:
- STGW60H65DFB
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 375 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT 分立，STMicroelectronics
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics
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