STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 60 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 168-8808
- 制造商零件编号:
- STGW30H60DFB
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-8808
- 制造商零件编号:
- STGW30H60DFB
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 60 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 260 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 60 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 260 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT 分立，STMicroelectronics
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics
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