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小计 750 件 (以卷装提供)*
¥2,573.25
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最后的 RS 库存
- 最终 1,120 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1490 | RMB3.431 |
| 1500 + | RMB3.328 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7793P
- 制造商零件编号:
- SIA456DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIA456DJ 是 N 沟道 MOSFET ，具有 200V 的漏极至源电压 (VDS) 和 16V 的栅极至源电压 (VGS)。它采用 POWER PAK SC-70 封装。它在 4.5VGS 时提供 1.38ohm 的漏极到源电阻 (RDS) ，在 2.5VGS 时提供 1.5ohm 的电阻。最大漏极电流 2.6A。
Trench FET 功率 MOSFET
热增强型 Power PAK SC-70 封装
占地面积小
热增强型 Power PAK SC-70 封装
占地面积小