Vishay P型沟道 IGBT, 3引脚, TO-252, 表面安装

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包装方式：
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180-8117P
制造商零件编号:
SUD08P06-155L-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

IGBT

最大功耗 Pd

20.8W

包装类型

TO-252

安装类型

表面

槽架类型

P型

引脚数目

3

最低工作温度

-55°C

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

150°C

长度

6.22mm

高度

2.38mm

标准/认证

RoHS-compliant

汽车标准

否

Vishay MOSFET


Vishay MOSFET 是 P 沟道，异径 252-3 封装，是一种具有 60V 漏 - 源电压和 20V 最大栅 - 源电压的新时代产品。它在栅极源电压为 10V 时具有 52mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 20.8W。 它可用于便携式设备的负载开关。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势


•无卤素和无铅 (Pb) 组件

•工作温度范围 -55°C 至 150°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

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