onsemi P型沟道, FGH75T65SHDTL4 IGBT, Ic 75 A, VCEO 650 V, 4引脚, TO-247, 通孔安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 181-1889
- 制造商零件编号:
- FGH75T65SHDTL4
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 181-1889
- 制造商零件编号:
- FGH75T65SHDTL4
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 75A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 455W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | Field Stop 3rd generation | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 额定能量 | 160mJ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 Ic 75A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 455W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 P型 | ||
引脚数目 4 | ||
开关速度 1MHz | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 Field Stop 3rd generation | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
额定能量 160mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Fairchild 的新系列 Field Stop 第 3 代 IGBT 采用创新的 Field Stop IGBT 技术，为低传导和切换损耗至关重要的太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供最佳性能。
最大接点温度：TJ = 175 °C
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压：VCE (sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 75 A
所有零件均通过 ILM(1) 测试
高输入阻抗
快速切换
严格的参数分布