STMicroelectronics IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3针, TO-220FP
- RS 库存编号:
- 204-9871
- 制造商零件编号:
- STGF20H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥604.85
(不含税)
¥683.50
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月20日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB12.097 | RMB604.85 |
| 100 - 150 | RMB11.855 | RMB592.75 |
| 200 + | RMB11.618 | RMB580.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-9871
- 制造商零件编号:
- STGF20H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 40 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 40 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 45 W | ||
封装类型 TO-220FP | ||
引脚数目 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
最大接点温度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 20 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 20 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻