Infineon IGBT隔离式晶体管, Ic 53 A, VCEO 600 V, 3针, pg - TO247 - 3-ai
- RS 库存编号:
- 215-6661P
- 制造商零件编号:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 8 - 14 | RMB38.665 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6661P
- 制造商零件编号:
- IKFW60N60DH3EXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 53 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V, ±30 V | |
| 最大功率耗散 | 141 瓦 | |
| 封装类型 | pg - TO247 - 3-ai | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 53 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20 V, ±30 V | ||
最大功率耗散 141 瓦 | ||
封装类型 pg - TO247 - 3-ai | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
Infineon 绝缘栅双极晶体管采用完全隔离封装、可与 Rapid 和软反并联二极管配合使用。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰