制造商编号

Infineon N沟道采用TRENCHSTOPTM 5技术的IGBT, 3针, Ic 74 A, VCEO 650 V, TO-220, High Speed Fifth Generation系列

RS 库存编号:: 215-6662
制造商零件编号:: IKP40N65H5XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道采用TRENCHSTOPTM 5技术的IGBT, 3针, Ic 74 A, VCEO 650 V, TO-220, High Speed Fifth Generation系列

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50 - 50	RMB15.039	RMB751.95
100 - 150	RMB14.738	RMB736.90
200 +	RMB14.443	RMB722.15

* 参考价格

RS 库存编号:: 215-6662
制造商零件编号:: IKP40N65H5XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	采用TRENCHSTOPTM 5技术的IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	74A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	250W
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	±30 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.65V
	最高工作温度	175°C
	系列	High Speed Fifth Generation
	标准/认证	Pb-free lead plating, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型采用TRENCHSTOPTM 5技术的IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 74A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 250W
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V
	最高工作温度 175°C
	系列 High Speed Fifth Generation
	标准/认证 Pb-free lead plating, RoHS
	汽车标准否

Datasheet-IKP40N65H5XKSA1

Infineon 650V 是一款采用阻尼技术的高速开关系列

低切换损耗

增强的可靠性

低电磁干扰

Infineon N沟道采用TRENCHSTOPTM 5技术的IGBT, 3针, Ic 74 A, VCEO 650 V, TO-220, High Speed Fifth Generation系列

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