Infineon IGBT 单晶体管 IC, Ic 28 A, VCEO 650 V, TO-220, 5th Generation系列

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包装方式：
RS 库存编号:
242-0980
制造商零件编号:
IKP28N65ES5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT 单晶体管 IC

最大连续集电极电流 Ic

28A

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

130W

包装类型

TO-220

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 ±30 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.9V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

JEDEC47/20/22

系列

5th Generation

汽车标准

否

Infineon 650 V, 28 A IGBT 配有反向并联二极管，采用 TO-220 封装。具有高电流密度、高效率、更快的上市时间、降低电路设计复杂度和可优化印刷电路板材料成本的特点。

适用于硬和软切式拓扑的高速平滑开关器件

175°C 的最大结温

无需栅极钳位元件

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