Infineon N型沟道 IGBT, Ic 90 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装

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30 - 30RMB26.336RMB790.08
60 - 90RMB25.809RMB774.27
120 +RMB25.293RMB758.79

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RS 库存编号:
215-6674
制造商零件编号:
IKW75N65EH5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

90A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

395W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

±30 V

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.65V

最高工作温度

175°C

长度

41.42mm

标准/认证

JEDEC

系列

High Speed Fifth Generation

汽车标准

Infineon 绝缘栅双极晶体管采用高速 H5 技术。

高效

低切换损耗

增强的可靠性

低电磁干扰