Infineon IGBT, Ic 90 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO247-3
- RS 库存编号:
- 215-6674
- 制造商零件编号:
- IKW75N65EH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB23.835 | RMB715.05 |
| 60 - 90 | RMB23.358 | RMB700.74 |
| 120 + | RMB22.891 | RMB686.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6674
- 制造商零件编号:
- IKW75N65EH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 90 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V, ±30 V | |
| 最大功率耗散 | 395 W | |
| 封装类型 | PG-TO247-3 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 90 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20 V, ±30 V | ||
最大功率耗散 395 W | ||
封装类型 PG-TO247-3 | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon 绝缘栅双极晶体管采用高速 H5 技术。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰