Infineon N沟道IGBT模块, 双个双路晶体管, Ic 1.2 kA, VCEO 1200 V, 10针, PRIME2
- RS 库存编号:
- 218-4320
- 制造商零件编号:
- FF1200R12IE5PBPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 3 - 3 | RMB5,499.467 | RMB16,498.40 |
| 6 - 9 | RMB5,334.487 | RMB16,003.46 |
| 12 - 21 | RMB5,227.797 | RMB15,683.39 |
| 24 + | RMB5,123.237 | RMB15,369.71 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-4320
- 制造商零件编号:
- FF1200R12IE5PBPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 1.2 kA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功率耗散 | 20 毫瓦 | |
| 封装类型 | PRIME2 | |
| 配置 | 双 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 晶体管配置 | 双路 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 1.2 kA | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 2 | ||
最大功率耗散 20 毫瓦 | ||
封装类型 PRIME2 | ||
配置 双 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 10 | ||
晶体管配置 双路 | ||
Infineon 双路 IGBT5它具有 1200 伏的集电极发射极电压n 沟道 trenchstop 和场截止无电阻器的无电阻器模块适用于硬切换和软切换应用、如高功率转换器、 ups 系统、电动机驱动器和太阳能应用。
铜粘结、可实现高电流承载能力
切换芯片、实现最高的电源循环功能
总损失减少多达 20%
相同输出功率所需的冷却工作量更少
启用更高的系统过载条件
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总损失减少多达 20%
相同输出功率所需的冷却工作量更少
启用更高的系统过载条件