Infineon N沟道IGBT模块, 双个双路晶体管, Ic 1.8 kA, VCEO 1700 V, 10针, PRIME3 +
- RS 库存编号:
- 218-4332
- 制造商零件编号:
- FF1800R17IP5PBPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
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3 - 3 | RMB8,008.173 | RMB24,024.519 |
6 - 9 | RMB7,848.01 | RMB23,544.03 |
12 - 21 | RMB7,691.05 | RMB23,073.15 |
24 + | RMB7,537.23 | RMB22,611.69 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-4332
- 制造商零件编号:
- FF1800R17IP5PBPSA1
- 制造商:
- Infineon
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选择全部 | 属性 | 值 |
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品牌 | Infineon | |
最大连续集电极电流 | 1.8 kA | |
最大集电极-发射极电压 | 1700 V | |
最大栅极发射极电压 | 20V | |
最大功率耗散 | 20 毫瓦 | |
晶体管数 | 2 | |
封装类型 | PRIME3 + | |
配置 | 双 | |
通道类型 | N | |
引脚数目 | 10 | |
晶体管配置 | 双路 | |
选择全部 | ||
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品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 1.8 kA | ||
最大集电极-发射极电压 1700 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 20 毫瓦 | ||
晶体管数 2 | ||
封装类型 PRIME3 + | ||
配置 双 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 10 | ||
晶体管配置 双路 | ||