Infineon N沟道, FF600R12ME4B72BOSA1 igbt模块, 2个, Ic 600 A, VCEO 1200 V, 11引脚, ECONODUAL, 表面安装

RS 库存编号:: 218-4341
制造商零件编号:: FF600R12ME4B72BOSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道, FF600R12ME4B72BOSA1 igbt模块, 2个, Ic 600 A, VCEO 1200 V, 11引脚, ECONODUAL, 表面安装

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制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	600A
	产品类型	igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	晶体管数	2
	最大功耗 Pd	20mW
	包装类型	ECONODUAL
	安装类型	表面
	槽架类型	N
	引脚数目	11
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2.1V
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	150°C
	高度	20.8mm
	长度	152mm
	宽度	62mm
	标准/认证	No
	系列	FF600R12ME4_B72
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 600A
	产品类型 igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	晶体管数 2
	最大功耗 Pd 20mW
	包装类型 ECONODUAL
	安装类型表面
	槽架类型 N
	引脚数目 11
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 150°C
	高度 20.8mm
	长度 152mm
	宽度 62mm
	标准/认证 No
	系列 FF600R12ME4_B72
	汽车标准否

Datasheet - FF600R12ME4B72BOSA1

Infineon FF600R12ME4_B72 系列 IGBT 模块,1200V 集电极-发射极电压,600A 集电极电流 - FF600R12ME4B72BOSA1

这款 IGBT 模块可为严苛的电源应用提供高压开关,将双晶体管拓扑与紧凑型表面贴装 ECONODUAL 封装相结合。它设计用于处理大连续电流,同时在宽温度范围内运行,适用于工业电力转换和电机控制环境。

特性和优点：

• 1200V 阻塞电压提供高电压开关能力
• 600A 连续集电极电流,可承受重负载
• 低 VCE(sat) 2.1 V 可减少运行过程中的传导损耗
• 最大功耗为20mW,可最大限度减少内部功耗
• N型栅极发射器20V额定值支持标准栅极驱动电压
• 双晶体管配置支持半桥和逆变器拓扑结构

应用

• 适用于工业电机驱动功率级应用
• 用于工业领域的高压逆变器系统
• 适用于大电流转换器模块
• 可用于需要稳健开关的电源
• 适用于需要双开关的牵引和大型驱动装置

它在 PCB 集成时使用什么引脚配置?

该设备采用 11 针布局,采用 ECONODUAL 封装,采用表面安装格式设计。

允许的操作环境温度限制是多少?

它可在-40°C至150°C的最高工作温度范围内可靠运行。

包含多少晶体管,并支持哪种拓扑结构?

该模块包含两个晶体管,可实现双开关排列,如半桥。

在组装布局中,我应允许的物理尺寸是多少?

该组件的尺寸为 152 x 62 x 20.8 mm,因此在组件上分配相应的空间。