制造商编号

Infineon N型沟道 IGBT, Ic 83 A, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247, 表面安装

RS 库存编号:: 225-0573
制造商零件编号:: IHW40N65R6XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 IGBT, Ic 83 A, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247, 表面安装

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RS 库存编号:: 225-0573
制造商零件编号:: IHW40N65R6XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	83A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	210W
	包装类型	PG-TO-247
	安装类型	表面
	槽架类型	N型
	引脚数目	3
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.6V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	175°C
	高度	5.3mm
	标准/认证	RoHS
	系列	TrenchStop
	长度	16.3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 83A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 210W
	包装类型 PG-TO-247
	安装类型表面
	槽架类型 N型
	引脚数目 3
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 175°C
	高度 5.3mm
	标准/认证 RoHS
	系列 TrenchStop
	长度 16.3mm
	汽车标准否

Datasheet-IHW40N65R6XKSA1

Infineon IHW40N65R6 是 650 V ， 40 A IGBT ，带单自由集成二极管，采用 TO-247 封装，带单自由集成二极管，设计用于使用半桥谐振拓扑满足感应加热应用的严苛要求。

频率范围 20-75 kHz

低 EMI

非常紧密的参数分布

最大工作 TJ 为 175 °C

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