Infineon N沟道IGBT, Ic 34 A, VCEO 650 V, 3针, PG-TO220

可享批量折扣

小计 20 件 (按管提供)*

¥237.22

(不含税)

¥268.06

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 340 个,准备发货
单位
每单位
20 - 20RMB11.861
30 +RMB11.623

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
226-6082P
制造商零件编号:
IKA15N65ET6XKSA2
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

最大连续集电极电流

34 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

30V

晶体管数

1

最大功率耗散

35.3 瓦

封装类型

PG-TO220

配置

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

Infineon IKA10N65ET6 具有良好的热性能,尤其是在更高频率下,并增加了设计边界和可靠性。它是非常柔软,快速恢复的防并联 Rapid 二极管。它具有低损耗,可满足节能要求。

极低 VCE (sat) 1.5V (典型值)
最大接点温度 175°C
低栅极电压 QG
无铅引线电镀符合 RoHS 标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。