Infineon N沟道IGBT, Ic 20 A, VCEO 600 V, 3针, PG-TO252
- RS 库存编号:
- 226-6097
- 制造商零件编号:
- IKD10N60RATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB3.58 | RMB8,950.00 |
| 12500 + | RMB3.509 | RMB8,772.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 226-6097
- 制造商零件编号:
- IKD10N60RATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 20 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 封装类型 | PG-TO252 | |
| 配置 | 单 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 20 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 150 W | ||
封装类型 PG-TO252 | ||
配置 单 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
Infineon IKD03N60RF 由于切换期间热循环较少，因此采用单自由集成 IGBT 和二极管，因此具有更高的可靠性。它具有平滑的切换性能，可实现低 EMI 级别，工作范围为 4 至 30kHz。
非常紧密的参数分布
最大接点温度 175°C
短路能力为 5μs μ F
最大接点温度 175°C
短路能力为 5μs μ F