制造商编号

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 74 A, VCEO 650 V, TO-220, High Speed Fifth Generation系列

RS 库存编号:: 226-6107
制造商零件编号:: IKP40N65F5XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 74 A, VCEO 650 V, TO-220, High Speed Fifth Generation系列

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RS 库存编号:: 226-6107
制造商零件编号:: IKP40N65F5XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	74A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	255W
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	最低工作温度	-40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.6V
	最大栅极发射极电压 VGEO	30 V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	JEDEC
	系列	High Speed Fifth Generation
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 74A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 255W
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	最低工作温度 -40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V
	最大栅极发射极电压 VGEO 30 V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 JEDEC
	系列 High Speed Fifth Generation
	汽车标准否

Datasheet - IKP40N65F5XKSA1

Infineon IKP40N65F5 是 650 V 高速硬切换 IGBT ，与 Rapid si-diode 技术一起使用。它具有更高的功率密度设计和低 COES/EOSS。

因子 2.5 ，下 Qg

因素 2 减少切换损耗

VCEsat 降低 200mV

Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 74 A, VCEO 650 V, TO-220, High Speed Fifth Generation系列

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