STMicroelectronics IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3针, Max247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 234-8894P
- 制造商零件编号:
- STGYA75H120DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB73.09 |
| 10 - 14 | RMB71.62 |
| 15 - 19 | RMB70.18 |
| 20 + | RMB68.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-8894P
- 制造商零件编号:
- STGYA75H120DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 150 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 750 W | |
| 封装类型 | Max247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 150 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 750 W | ||
封装类型 Max247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
STMicroelectronics IGBT 采用先进的专利场截止型沟槽栅极结构开发方法。该器件属于 H 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地提高高切换频率转换器的效率。此外，VCE(饱和) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。
最大接点温度 TJ = 175 °C
短路耐受时间 5 μs
在 = 75 A 时，VCE(饱和) = 2.1 V（典型值）
参数分布紧密
正 VCE(饱和) 温度系数
低热阻
超快恢复反射并联二极管
短路耐受时间 5 μs
在 = 75 A 时，VCE(饱和) = 2.1 V（典型值）
参数分布紧密
正 VCE(饱和) 温度系数
低热阻
超快恢复反射并联二极管