STMicroelectronics N型沟道, STGYA75H120DF2 IGBT, Ic 150 A, VCEO 1200 V, 3引脚, Max247, 通孔安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 234-8894P
- 制造商零件编号:
- STGYA75H120DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-8894P
- 制造商零件编号:
- STGYA75H120DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 150A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 750W | |
| 包装类型 | Max247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 150A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 750W | ||
包装类型 Max247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics IGBT 采用先进的专利场截止型沟槽栅极结构开发方法。该器件属于 H 系列绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地提高高切换频率转换器的效率。此外，VCE(饱和) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。
最大接点温度 TJ = 175 °C
短路耐受时间 5 μs
在 = 75 A 时，VCE(饱和) = 2.1 V（典型值）
参数分布紧密
正 VCE(饱和) 温度系数
低热阻
超快恢复反射并联二极管