制造商编号

Infineon igbt模块, 3个晶体管, Ic 1.8 kA, VCEO 4.5 kV, AG-IHVB190

RS 库存编号:: 236-5196
制造商零件编号:: FZ1800R45HL4S7BPSA1
制造商:: Infineon

Infineon igbt模块, 3个晶体管, Ic 1.8 kA, VCEO 4.5 kV, AG-IHVB190

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制造商零件编号:: FZ1800R45HL4S7BPSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	1.8kA
	产品类型	igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo	4.5kV
	晶体管数	3
	最大功耗 Pd	4000kW
	包装类型	AG-IHVB190
	配置	单
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	25 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	3.15V
	最高工作温度	150°C
	高度	38.5mm
	长度	190mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 1.8kA
	产品类型 igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo 4.5kV
	晶体管数 3
	最大功耗 Pd 4000kW
	包装类型 AG-IHVB190
	配置单
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 25 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 3.15V
	最高工作温度 150°C
	高度 38.5mm
	长度 190mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - FZ1800R45HL4S7BPSA1

Infineon 单开关 IGBT 模块，带沟道 / 场停止 IGBT4 ，发射器控制 4 二极管和隔离 ALSiC 基板，是 HVDC 应用的最佳解决方案。它具有高直流稳定性和高动态稳定性。

VCES 为 4500 V

IC 标称值为 1800 A

ICRM 为 3600 A

它具有高短路能力

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