STMicroelectronics IGBT, VCEO 1200 V, 3引脚, 5 μs
- RS 库存编号:
- 244-3194
- 制造商零件编号:
- STGYA50H120DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-3194
- 制造商零件编号:
- STGYA50H120DF2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 535W | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 5μs | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | H | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 535W | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 5μs | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 H | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics IGBT 使用 Advanced 专有沟道栅极场停止结构开发。此设备是 H 系列 IGBT 的一部分，它代表传导和切换损耗之间的最佳平衡，以最大程度提高高切换频率转换器的效率。此外， VCE (sat) 温度系数略为正，参数分布非常紧密，可实现更安全的并联操作。
最大接点温度 TJ = 175 °C
μs 耐受时间为 5 μ s
低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A
严格的参数分布
正 VCE (sat) 温度系数
低热阻
反并联二极管恢复速度非常快