Infineon IGBT模块, 7个, Ic 75 A, VCEO 1200 V
- RS 库存编号:
- 244-5846
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB740.21 | RMB7,402.10 |
| 20 - 20 | RMB725.406 | RMB7,254.06 |
| 30 + | RMB703.644 | RMB7,036.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5846
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功率耗散 | 385 W | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功率耗散 385 W | ||
Infineon IGBT 模块适用于辅助变频器、 电机驱动、伺服驱动器等。
电气特性
低切换损耗
Tvj op = 150° C
VCEsat 带正温度系数
低 VCEsat
机械特性
高功率和热循环能力
集成NTC温度传感器
铜底板
压装接触技术
标准壳体
低切换损耗
Tvj op = 150° C
VCEsat 带正温度系数
低 VCEsat
机械特性
高功率和热循环能力
集成NTC温度传感器
铜底板
压装接触技术
标准壳体