Infineon IGBT模块, 6个, Ic 950 A, VCEO 750 V, HybridPACK
- RS Stock No.:
- 244-5879
- Mfr. Part No.:
- FS950R08A6P2BBPSA1
- Brand:
- Infineon
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- RS Stock No.:
- 244-5879
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- FS950R08A6P2BBPSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 950 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 750 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 最大功率耗散 | 870 W | |
| 封装类型 | HybridPACK | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 950 A | ||
最大集电极-发射极电压 750 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 6 | ||
最大功率耗散 870 W | ||
封装类型 HybridPACK | ||
Infineon IGBT 模块驱动器是一款十分紧凑的六单元模块（750 V/950 A），针对混合动力和电动汽车进行了优化。该电源模块实施了新一代 EDT2 IGBT，这是汽车微型模式沟槽场终止电池设计，为电动驱动列车应用进行了优化。本芯片组具有符合基准的电流密度和短路耐受性，以及增加的阻断电压，可在恶劣环境条件下保证逆变器稳定运行。EDT2 IGBT 还显示出极佳的轻负载功率损耗，这有助于在实际驱动周期内提高系统效率。EDT2 IGBT 经优化用于在 10 kHz 范围内切换频率的应用。
电气特点
阻断电压 750 V
低 VCEsat
低切换损耗
低 Qg 和 crss
低电感设计 Tvj op = 150° C
短时间较大工作温度范围 Tvj op = 175°C
机械特点
具有 4.2kV 直流 1sec 绝缘
高爬电距离和电气间隙
紧凑型设计
高功率密度
直接冷却引脚 Fin 基板
用于印刷电路板和冷却器组件的导向元件
集成 NTC 温度传感器
压装接触技术
符合 RoHS 标准
UL 94 V0 模块框架
阻断电压 750 V
低 VCEsat
低切换损耗
低 Qg 和 crss
低电感设计 Tvj op = 150° C
短时间较大工作温度范围 Tvj op = 175°C
机械特点
具有 4.2kV 直流 1sec 绝缘
高爬电距离和电气间隙
紧凑型设计
高功率密度
直接冷却引脚 Fin 基板
用于印刷电路板和冷却器组件的导向元件
集成 NTC 温度传感器
压装接触技术
符合 RoHS 标准
UL 94 V0 模块框架