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- RS 库存编号:
- 245-6984P
- 制造商零件编号:
- NXH40B120MNQ1SNG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大功耗 Pd | 156W | |
| 晶体管数 | 3 | |
| 包装类型 | Q1BOOST | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 13.9mm | |
| 长度 | 55.2mm | |
| 系列 | NXH40B120MNQ1SNG | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大功耗 Pd 156W | ||
晶体管数 3 | ||
包装类型 Q1BOOST | ||
安装类型 表面 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 13.9mm | ||
长度 55.2mm | ||
系列 NXH40B120MNQ1SNG | ||
汽车标准 否 | ||
全 SiC MOSFET 模块 | EliteSiC 三通道全 SiC 升压器，1,200 V，40 mohm SiC MOSFET + 1,200 V，40 A SiC 二极管镀镍 DBC
ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG 是包含三通道升压级的电源模块。集成的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管提供更低的传导损耗和切换损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。
40 m/1200 V SiC MOSFET 半−Ω 桥接
电热调节器
具有预应用热接口材料和不带预应用 TIM 的选项
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这些设备无铅，无卤化物，且符合 RoHS 标准
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