STMicroelectronics IGBT, Ic 100 A, VCEO 1200 V, Max247
- RS 库存编号:
- 248-4895
- 制造商零件编号:
- STGYA50M120DF3
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB61.698 | RMB1,850.94 |
| 60 - 60 | RMB60.464 | RMB1,813.92 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-4895
- 制造商零件编号:
- STGYA50M120DF3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 100 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 535 W | |
| 封装类型 | Max247 | |
| 配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 100 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 535 W | ||
封装类型 Max247 | ||
配置 单 | ||
这款意法半导体产品为采用先进的专有场截止型沟槽栅结构开发的 IGBT。此设备属于 M 系列 IGBT，对于极为需要低损耗和短路功能的逆变器系统，在性能和效率之间取得最佳平衡。此外，VCE(sat) 温度系数为正且参数分布紧密，可让并联操作更安全。
最大接点温度 175 °C
短路耐受时间 10 μs
VCEsat 参数低
参数分布紧密
VCEsat 温度系数为正
低热阻
反并联软快恢复二极管
短路耐受时间 10 μs
VCEsat 参数低
参数分布紧密
VCEsat 温度系数为正
低热阻
反并联软快恢复二极管