制造商编号

STMicroelectronics IGBT, 3针, Ic 50 A, VCEO 1.2 kV, STGYA50M120DF3系列

RS 库存编号:: 248-4895
制造商零件编号:: STGYA50M120DF3
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT, 3针, Ic 50 A, VCEO 1.2 kV, STGYA50M120DF3系列

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RS 库存编号:: 248-4895
制造商零件编号:: STGYA50M120DF3
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	50A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1.2kV
	最大功耗 Pd	535W
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最低工作温度	-55°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.7V
	最高工作温度	175°C
	系列	STGYA50M120DF3
	标准/认证	RoHS
	宽度	21.1mm
	长度	15.9mm
	高度	5.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 50A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1.2kV
	最大功耗 Pd 535W
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最低工作温度 -55°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.7V
	最高工作温度 175°C
	系列 STGYA50M120DF3
	标准/认证 RoHS
	宽度 21.1mm
	长度 15.9mm
	高度 5.1mm
	汽车标准否

Datasheet - STGYA50M120DF3

这款意法半导体产品为采用先进的专有场截止型沟槽栅结构开发的 IGBT。此设备属于 M 系列 IGBT，对于极为需要低损耗和短路功能的逆变器系统，在性能和效率之间取得最佳平衡。此外，VCE(sat) 温度系数为正且参数分布紧密，可让并联操作更安全。

最大接点温度 175 °C

短路耐受时间 10 μs

VCEsat 参数低

参数分布紧密

VCEsat 温度系数为正

反并联软快恢复二极管

STMicroelectronics IGBT, 3针, Ic 50 A, VCEO 1.2 kV, STGYA50M120DF3系列

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