制造商编号

Infineon IGBT晶体管模块, 双个, Ic 40 A, VCEO 650 V, PG-TO247-3

RS 库存编号:: 249-6939
制造商零件编号:: IKW40N65RH5XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon IGBT晶体管模块, 双个, Ic 40 A, VCEO 650 V, PG-TO247-3

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RS 库存编号:: 249-6939
制造商零件编号:: IKW40N65RH5XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	40 A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	15V
	最大功率耗散	250 瓦
	晶体管数	2
	封装类型	PG-TO247-3
	配置	单

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 40 A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 15V
	最大功率耗散 250 瓦
	晶体管数 2
	封装类型 PG-TO247-3
	配置单

Datasheet - IKW40N65RH5XKSA1

由于 TRENCHSTOPTM5 和 CoolSiCTM 技术的组合，Infineon 肖特基势垒二极管具有超低切换损耗。硬交换拓扑中的基准效率。即插即用替换纯硅器件。最大接点温度为 175°C。

工业电源
工业SMPS
工业 UPS
能源生成
太阳串行逆变器
能源分配
能源存储
基础设施
充电器

Infineon IGBT晶体管模块, 双个, Ic 40 A, VCEO 650 V, PG-TO247-3

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