Infineon , IKW50N65RH5XKSA1 igbt模块, Ic 50 A, VCEO 650 V, 3引脚, PG-TO-247
- RS 库存编号:
- 249-6941
- 制造商零件编号:
- IKW50N65RH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6941
- 制造商零件编号:
- IKW50N65RH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 305W | |
| 包装类型 | PG-TO-247 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 ±30 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | IKW50N65RH5 | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 宽度 | 16.3 mm | |
| 长度 | 41.9mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 305W | ||
包装类型 PG-TO-247 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 ±30 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 IKW50N65RH5 | ||
高度 5.3mm | ||
宽度 16.3 mm | ||
长度 41.9mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon TRENCHSTOP5 H5 IGBT 配有半额定第 6 代 CoolSiCTM 肖特基势垒二极管。由于结合了 TRENCHSTOPTM5 和 CoolSiCTM 技术，可实现超低切换损耗。硬交换拓扑中的基准效率。即插即用替换纯硅器件。最大接点温度为 175°C
工业电源
工业SMPS
能源生成
太阳串行逆变器
能源分配 - 能源存储
基础设施 - 充电器