Infineon IGBT晶体管模块, 双个, Ic 50 A, VCEO 650 V, PG-TO247-3
- RS 库存编号:
- 249-6940
- 制造商零件编号:
- IKW50N65RH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB29.805 | RMB894.15 |
| 60 - 60 | RMB29.209 | RMB876.27 |
| 90 + | RMB28.625 | RMB858.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 249-6940
- 制造商零件编号:
- IKW50N65RH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 15V | |
| 最大功率耗散 | 305 W | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 封装类型 | PG-TO247-3 | |
| 配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 15V | ||
最大功率耗散 305 W | ||
晶体管数 2 | ||
封装类型 PG-TO247-3 | ||
配置 单 | ||
Infineon TRENCHSTOP5 H5 IGBT 配有半额定第 6 代 CoolSiCTM 肖特基势垒二极管。由于结合了 TRENCHSTOPTM5 和 CoolSiCTM 技术，可实现超低切换损耗。硬交换拓扑中的基准效率。即插即用替换纯硅器件。最大接点温度为 175°C
工业电源
工业SMPS
能源生成
太阳串行逆变器
能源分配 - 能源存储
基础设施 - 充电器
工业SMPS
能源生成
太阳串行逆变器
能源分配 - 能源存储
基础设施 - 充电器